MJC ELEKTROTECHNIK GMBH HANDEL MIT ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN

Hochspannungsgleichrichter Idav=4,2A, Vrrm=8000V, Hersteller IXYS/Littelfuse

Siliziumkarbid-MOSFET im SOT-227-Gehäuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Hersteller IXYS/Littelfuse

Hochspannungsgleichrichter Idav=10A, Vrrm=4800V, Hersteller IXYS/Littelfuse

Hochspannungsgleichrichter Idav=23A, Vrrm=3200V, Hersteller IXYS/Littelfuse

FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x123A@70°C, Vrrm=200V, trr=35ns, Hersteller IXYS/Littelfuse

Doppel-Thyristormodul im TO-240-Gehäuse, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=60A@85°C, Vrrm/Vdrm=1600V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt die Module MCC56-08io1B, MCC56-12io1B und MCC56-14io1B ersetzen.

Doppel-Diodenmodul im TO-240-Gehäuse, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=120A@100°C, Vrrm/Vdrm=1600V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt die Module MDD95-08N1B, MCC95-12N1B und MCC95-14N1B ersetzen.

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=150A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower