FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x96A@70°C, Vrrm=600V, trr=35ns, Hersteller IXYS/Littelfuse
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Siliziumkarbid-MOSFET im SOT-227-Gehäuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Hersteller IXYS/Littelfuse
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Siliziumkarbid-MOSFET im SOT-227-Gehäuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Hersteller IXYS/Littelfuse
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IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=450A@100°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower
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IGBT-Modul, Einzelschalter, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=400A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower
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